NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A512M8SA-062E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5AD512M16C4-JRU द्वारा Nanya Technology और MT40A512M8SA-062E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5AD512M16C4-JRU | MT40A512M8SA-062E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | DRAM | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $83.00 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 8 |
| Clock Frequency | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) | 1.6 GHz |
| CAS Latency (CL) | 22 at 1600 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (PBGA96) | 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +95 C (industrial grade) | — |
| इंटरफ़ेस | CMOS, DDR4 | Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Green Product (per Nanya product page) | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| डेटा दर | — | 3200 MT/s (DDR4-3200 class) |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply | — | 2.5 V (-125 mV / +250 mV) |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Operating Temperature (TC max) | — | up to 95 degrees C |
| Package Flow | — | :F (lead-free / RoHS) |
| माउंटिंग स्टाइल | — | SMD/SMT |