NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A512M8SA-062E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5AD512M16C4-JRU بذریعہ Nanya Technology اور MT40A512M8SA-062E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M8SA-062E MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر NT5AD512M16C4-JRU MT40A512M8SA-062E
برانڈ Nanya Technology Micron Technology
زمرہ DRAM DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $83.00 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
تنظیم 512M x 16 512M x 8
Clock Frequency 1600 MHz (3200 Mbps data rate) 1.6 GHz
CAS Latency (CL) 22 at 1600 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
پیکیج 96-ball FBGA (PBGA96) 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B
آپریٹنگ درجہ حرارت -40 C to +95 C (industrial grade) —
انٹرفیس CMOS, DDR4 Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Green Product (per Nanya product page) —
میموری سائز — 4 Gbit
ڈیٹا ریٹ — 3200 MT/s (DDR4-3200 class)
Access Time — 13.75 ns
Write Cycle Time — 15 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply — 2.5 V (-125 mV / +250 mV)
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Operating Temperature (TC max) — up to 95 degrees C
Package Flow — :F (lead-free / RoHS)
ماؤنٹنگ اسٹائل — SMD/SMT

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں