NT5CC256M16CP-DIB1 vs K4A8G165WB-BCPB তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5CC256M16CP-DIB1 নির্দিষ্ট Nanya Technology ও K4A8G165WB-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | NT5CC256M16CP-DIB1 | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4Gb | 8 Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 | 512M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35V | — |
| ডেটা রেট | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 2133 Mbps |
| প্যাকেজ | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96FBGA (TFBGA) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C (Tcase) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | — | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |