NT5CC256M16CP-DIB1 vs K4A8G165WB-BCPB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CC256M16CP-DIB1 بذریعہ Nanya Technology اور K4A8G165WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | NT5CC256M16CP-DIB1 | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| برانڈ | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 512M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 2133 Mbps |
| پیکیج | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96FBGA (TFBGA) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C (Tcase) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| انٹرفیس | — | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |