NT5CC256M16CP-DIB1 vs K4A8G165WB-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16CP-DIB1 द्वारा Nanya Technology और K4A8G165WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16CP-DIB1 | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4Gb | 8 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 512M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | — |
| डेटा दर | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 2133 Mbps |
| पैकेज | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96FBGA (TFBGA) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C (Tcase) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | — | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |