NT5CC256M16CP-DIB1 vs K4A8G165WB-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CC256M16CP-DIB1 توسط Nanya Technology و K4A8G165WB-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | NT5CC256M16CP-DIB1 | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4Gb | 8 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | — |
| نرخ داده | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 2133 Mbps |
| بسته‌بندی | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96FBGA (TFBGA) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | — |
| دمای کاری | 0C to +95C (Tcase) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| رابط | — | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| وضعیت RoHS | — | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |