NT5CC256M16DN-FLNA vs K4B4G1646D-BYH9 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5CC256M16DN-FLNA নির্দিষ্ট Nanya Technology ও K4B4G1646D-BYH9 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার NT5CC256M16DN-FLNA K4B4G1646D-BYH9
ব্র্যান্ড Nanya Technology Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM —
Density 4Gb 4 Gb
সংগঠন 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (1.283V-1.45V) —
Backward Compatible Voltage 1.5V ±0.075V —
ডেটা রেট 1600 Mbps (PC3-12800) 1333 Mbps
CAS লেটেন্সি 11 Programmable
Burst Length 8 —
প্যাকেজ 96-ball FBGA 96FBGA
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) —
ইন্টারফেস 16-bit I/O —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes —
RoHS Compliant —
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.35 V
অপারেটিং তাপমাত্রা — 0 ~ 85 °C
Number of Banks — 8
Write Latency — Programmable
On-Die Termination — Yes
Internal Calibration — Yes
Lead-Free — Yes
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes
RoHS Compliant — Yes
Die Version — D-die

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট