NT5CC256M16DN-FLNA vs K4B4G1646D-BYH9 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CC256M16DN-FLNA بذریعہ Nanya Technology اور K4B4G1646D-BYH9 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | NT5CC256M16DN-FLNA | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| برانڈ | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.283V-1.45V) | — |
| Backward Compatible Voltage | 1.5V ±0.075V | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| CAS لیٹنسی | 11 | Programmable |
| Burst Length | 8 | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) | — |
| انٹرفیس | 16-bit I/O | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0 ~ 85 °C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |