NT5CC256M16DN-FLNA vs K4B4G1646D-BYH9 比較
詳細並排比較 NT5CC256M16DN-FLNA 由 Nanya Technology 與 K4B4G1646D-BYH9 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | NT5CC256M16DN-FLNA | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.283V-1.45V) | — |
| Backward Compatible Voltage | 1.5V ±0.075V | — |
| 資料速率 | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| CAS 延遲 | 11 | Programmable |
| Burst Length | 8 | — |
| 封裝 | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| 工作溫度範圍 | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) | — |
| 介面 | 16-bit I/O | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 供應電壓 | — | 1.35 V |
| 工作溫度 | — | 0 ~ 85 °C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| 無鹵素 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |