NT5CC256M16DN-FLNA vs K4B4G1646D-BYH9 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16DN-FLNA द्वारा Nanya Technology और K4B4G1646D-BYH9 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16DN-FLNA | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.283V-1.45V) | — |
| Backward Compatible Voltage | 1.5V ±0.075V | — |
| डेटा दर | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| CAS लेटेंसी | 11 | Programmable |
| Burst Length | 8 | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) | — |
| इंटरफ़ेस | 16-bit I/O | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0 ~ 85 °C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |