AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G8NDJR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना AS4C512M16D4A-62BCN द्वारा Alliance Memory और H5AN8G8NDJR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | AS4C512M16D4A-62BCN | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Alliance Memory | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 1G x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| डेटा दर | 1600 MHz (3200 Mbps) | 3200 MT/s |
| CAS लेटेंसी | 18 ns | 22 (typical) |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| इंटरफ़ेस | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |