AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G8NDJR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AS4C512M16D4A-62BCN بذریعہ Alliance Memory اور H5AN8G8NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G8NDJR H5AN8G8NDJR - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | SK hynix

H5AN8G8NDJR - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | SK hynix

H5AN8G8NDJR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر AS4C512M16D4A-62BCN H5AN8G8NDJR
برانڈ Alliance Memory SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 512M x 16 1G x 8
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
ڈیٹا ریٹ 1600 MHz (3200 Mbps) 3200 MT/s
CAS لیٹنسی 18 ns 22 (typical)
پیکیج 96-FBGA (7.5x13 mm) FBGA-78 (7.5x11 mm)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to 95°C 0°C to +95°C (Tc)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
انٹرفیس POD (Pseudo Open Drain) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Packaging Tray —
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
VDDQ — 1.2 V
VPP — 2.5 V
tRCD — 22 ns
tRP — 22 ns
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
Self-Refresh Current — 30 mA (typical)
Active Standby Current — 60 mA (typical)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں