AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G8NDJR Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng AS4C512M16D4A-62BCN sa pamamagitan ng Alliance Memory at H5AN8G8NDJR sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | AS4C512M16D4A-62BCN | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Brand | Alliance Memory | SK hynix |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Laki ng Memory | 8 Gbit | — |
| Organisasyon | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | — |
| Rate ng Data | 1600 MHz (3200 Mbps) | 3200 MT/s |
| Latensya ng CAS | 18 ns | 22 (typical) |
| Packhaging | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 95°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Interface | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |