AS4C512M16D4A-62BCN vs H5AN8G8NDJR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C512M16D4A-62BCN بواسطة Alliance Memory و H5AN8G8NDJR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | AS4C512M16D4A-62BCN | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Alliance Memory | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 1G x 8 |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | 1600 MHz (3200 Mbps) | 3200 MT/s |
| زمن الوصول CAS | 18 ns | 22 (typical) |
| العلبة | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| الواجهة | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |