BSP88H6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP88H6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS87H6327FTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP88H6327XTSA1 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA at Ta=25 C | 260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W at Ta=25 C | 1 W (Ta) |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 6 ohm typical at VGS=10 V | — |
| Configuration | Single | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 C to +150 C | — |
| Technology | SIPMOS (planar enhancement mode) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Drain Tab Connection | SOT-223 tab is drain | — |
| FET Type | — | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (junction) |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate / Drain / Source) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |