BSP88H6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP88H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS87H6327FTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP88H6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 1 W (Ta)
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
پن کی تعداد — 3 (Gate / Drain / Source)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں