BSP88H6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSP88H6327XTSA1 bằng Infineon và BSS87H6327FTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSP88H6327XTSA1 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA at Ta=25 C | 260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W at Ta=25 C | 1 W (Ta) |
| Hộp | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 6 ohm typical at VGS=10 V | — |
| Configuration | Single | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C | — |
| Technology | SIPMOS (planar enhancement mode) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Drain Tab Connection | SOT-223 tab is drain | — |
| FET Type | — | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C (junction) |
| Số chân | — | 3 (Gate / Drain / Source) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |