BSP88H6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP88H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS87H6327FTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP88H6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 1 W (Ta)
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
İşletim Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Pin Sayısı — 3 (Gate / Drain / Source)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin