BSS87H6327FTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS87H6327FTSA1 द्वारा Infineon और BSP88H6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS87H6327FTSA1 | BSP88H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 260 mA (Ta) | 350 mA at Ta=25 C |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | 1.8 W at Ta=25 C |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 ohm max at VGS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| पैकेज | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | — |
| पिन काउंट | 3 (Gate / Drain / Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (Pb-free plating) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Process Technology | Vertical DMOS | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm typical at VGS=10 V |
| Configuration | — | Single |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 C to +150 C |
| Technology | — | SIPMOS (planar enhancement mode) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Drain Tab Connection | — | SOT-223 tab is drain |