BSS87H6327FTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS87H6327FTSA1 tarafından Infineon ve BSP88H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS87H6327FTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Paket PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Pin Sayısı 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Process Technology Vertical DMOS —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +150 C
Technology — SIPMOS (planar enhancement mode)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin