BSS87H6327FTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS87H6327FTSA1 توسط Infineon و BSP88H6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS87H6327FTSA1 BSP88H6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
بسته‌بندی PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) —
تعداد پایه 3 (Gate / Drain / Source) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Process Technology Vertical DMOS —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
دمای کاری — -55 C to +150 C
Technology — SIPMOS (planar enhancement mode)
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت