H5TC4G63AFR-PBI vs K4B4G1646E-BYMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-PBI द्वारा SK hynix और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63AFR-PBI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $14.32 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| डेटा दर | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| CAS लेटेंसी | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 96 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| पिन की संख्या | — | 96 |