H5TC4G63AFR-PBI vs K4B4G1646E-BYMA So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-PBI bằng SK hynix và K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63AFR-PBI K4B4G1646E-BYMA
Thương hiệu SK hynix Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Obsolete Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $14,32
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
Tốc độ dữ liệu DDR3-1600 (PC3L-12800) 1866 Mbps/pin
Điện áp cung cấp 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Latency CAS Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C —
Hộp 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) FBGA-96
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
Trạng thái RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Clock Frequency — 933 MHz
Nhiệt độ hoạt động — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
RoHS — Compliant
Số lượng chân — 96

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá