H5TC4G63AFR-PBI vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5TC4G63AFR-PBI tarafından SK hynix ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5TC4G63AFR-PBI K4B4G1646E-BYMA
Marka SK hynix Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Obsolete Aktif
Birim Fiyat (USD) — $14,32
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
Veri Hızı DDR3-1600 (PC3L-12800) 1866 Mbps/pin
Besleme Gerilimi 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) [DATA_NEEDED: Burst Length]
CAS Gecikme Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40°C to +95°C —
Paket 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) FBGA-96
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
RoHS Durumu Compliant —
Density — 4 Gb
Clock Frequency — 933 MHz
İşletim Sıcaklığı — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
RoHS — Compliant
Pin Sayısı — 96

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin