H5TC4G63AFR-PBI vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63AFR-PBI sa pamamagitan ng SK hynix at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro H5TC4G63AFR-PBI K4B4G1646E-BYMA
Brand SK hynix Samsung Electronics
Kategorya Memory ICs Memory ICs
Katayuan ng Lifecycle Obsolete Aktibo
Presyo ng Yunit (USD) — $14.32
Uri ng Memory DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organisasyon 256M x 16 256M x 16
Total Memory Size 4 Gb —
Rate ng Data DDR3-1600 (PC3L-12800) 1866 Mbps/pin
Volte ng Pagbibigay 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 (BL8) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Latensya ng CAS Programmable [DATA_NEEDED: CAS Latency]
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Period 7.8 us at 85°C —
Hanay ng Temperature na Operasyon -40°C to +95°C —
Packhaging 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) FBGA-96
Uri ng Pagpapasok Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals 96 —
Tindminan RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Clock Frequency — 933 MHz
Temperature na Operasyon — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
RoHS — Compliant
Bilang ng Pins — 96

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita