H5TC4G63AFR-PBI vs K4B4G1646E-BYMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5TC4G63AFR-PBI מאת SK hynix ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5TC4G63AFR-PBI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | Obsolete | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $14.32 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| קצב נתונים | DDR3-1600 (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| השהיית CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85°C | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) | FBGA-96 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Terminals | 96 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| מספר פינים | — | 96 |