IAUCN10S7N021ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN10S7N021ATMA1 द्वारा Infineon और IPN95R3K7P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN10S7N021ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 175 A | 2.0 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | 3.2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | 105 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.98 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 32 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7.153 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 217 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | -55 C to +150 C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |