IAUCN10S7N021ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S7N021ATMA1 tarafından Infineon ve IPN95R3K7P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN10S7N021ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 175 A | 2.0 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | 3.2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | 105 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.98 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 32 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7.153 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 217 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | -55 C to +150 C |
| Paket | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |