IAUCN10S7N021ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN10S7N021ATMA1 מאת Infineon ו IPN95R3K7P7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN10S7N021ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 175 A | 2.0 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | 3.2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | 105 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.98 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 32 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7.153 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 217 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | -55 C to +150 C |
| מארז | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Lead-Free | — | Yes |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |