IAUCN10S7N021ATMA1 vs IPN95R3K7P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S7N021ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPN95R3K7P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 - 100V N-Ch 2.1mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN10S7N021ATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN10S7N021ATMA1 | IPN95R3K7P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) | Super-junction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 175 A | 2.0 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ | 3.2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V | 105 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.98 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 32 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7.153 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 217 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | -55 C to +150 C |
| پیکیج | PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 6 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 3700 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |