IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUS300N08S5N012 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUT300N08S5N012ATMA2 द्वारा Infineon और IAUS300N08S5N012 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUS300N08S5N012 IAUS300N08S5N012 - 80V 300A 1.2mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N012 - 80V 300A 1.2mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N012 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUS300N08S5N012
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
पैकेज PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-HSOG-8-1 (Surface Mount)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant RoHS compliant (Green product)
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 300 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V — 1.2 mΩ typical
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.8 V at 275 µA
Power Dissipation (PD) at TC — 375 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
Technology — OptiMOS 5 planar trench
Terminals — 8

डेटाशीट और संसाधन

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