IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUS300N08S5N012 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUT300N08S5N012ATMA2 بذریعہ Infineon اور IAUS300N08S5N012 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUS300N08S5N012
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
پیکیج PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-HSOG-8-1 (Surface Mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant RoHS compliant (Green product)
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 300 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V — 1.2 mΩ typical
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.8 V at 275 µA
Power Dissipation (PD) at TC — 375 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
Technology — OptiMOS 5 planar trench
Terminals — 8

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں