IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUS300N08S5N012 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUT300N08S5N012ATMA2 tarafından Infineon ve IAUS300N08S5N012 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUS300N08S5N012
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
Paket PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-HSOG-8-1 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant RoHS compliant (Green product)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 300 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V — 1.2 mΩ typical
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.8 V at 275 µA
Power Dissipation (PD) at TC — 375 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
Technology — OptiMOS 5 planar trench
Terminals — 8

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin