IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUS300N08S5N012 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUT300N08S5N012ATMA2 توسط Infineon و IAUS300N08S5N012 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUS300N08S5N012
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™-5 80 V —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 1200 A (per datasheet, typical) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
بسته‌بندی PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) PG-HSOG-8-1 (Surface Mount)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant RoHS compliant (Green product)
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1 (up to 260°C peak reflow)
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 300 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> Max at VGS=10V — 1.2 mΩ typical
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.8 V at 275 µA
Power Dissipation (PD) at TC — 375 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
Technology — OptiMOS 5 planar trench
Terminals — 8

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت