IPD031N06L3GATMA1 vs IPD90N03S4L02ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD031N06L3GATMA1 द्वारा Infineon और IPD90N03S4L02ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IPD90N03S4L02ATMA1 - 30V 90A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD90N03S4L02ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD031N06L3GATMA1 | IPD90N03S4L02ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | [DATA_NEEDED: typical value] |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS-T2 |
| MSL स्तर | 1 (Unlimited) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Green Package) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 136 W |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | — | 2.2 mΩ |
| RDS(on) Max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | 4.5 V to 10 V |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |