IPD031N06L3GATMA1 vs IPD90N03S4L02ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD031N06L3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD90N03S4L02ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD031N06L3GATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C 167 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.2 V [DATA_NEEDED: typical value]
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C —
Paket PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 3 OptiMOS-T2
MSL Seviyesi 1 (Unlimited) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
RoHS Durumu Compliant Compliant (Green Package)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 136 W
RDS(on) Max at VGS=10 V — 2.2 mΩ
RDS(on) Max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V]
Gate Drive Voltage (VGS) — 4.5 V to 10 V
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin