IPD031N06L3GATMA1 vs IPD90N03S4L02ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD031N06L3GATMA1 מאת Infineon ו IPD90N03S4L02ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ פעילInfineon
IPD90N03S4L02ATMA1 - 30V 90A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD90N03S4L02ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPD031N06L3GATMA1 | IPD90N03S4L02ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | [DATA_NEEDED: typical value] |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C | — |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS-T2 |
| רמת MSL | 1 (Unlimited) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Green Package) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 136 W |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | — | 2.2 mΩ |
| RDS(on) Max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | 4.5 V to 10 V |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |