IPD031N06L3GATMA1 vs IPD90N03S4L02ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD031N06L3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD90N03S4L02ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ فعالInfineon
IPD90N03S4L02ATMA1 - 30V 90A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD90N03S4L02ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD031N06L3GATMA1 | IPD90N03S4L02ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 167 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.2 V | [DATA_NEEDED: typical value] |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +175°C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS-T2 |
| MSL لیول | 1 (Unlimited) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (Green Package) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 136 W |
| RDS(on) Max at VGS=10 V | — | 2.2 mΩ |
| RDS(on) Max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | 4.5 V to 10 V |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |