IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N04S408ATMA1 द्वारा Infineon और IPG20N04S4L11ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPG20N04S408ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 7.6mOhm OptiMOS | Infineon
IPG20N04S408ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IPG20N04S4L11ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG20N04S408ATMA1 | IPG20N04S4L11ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | Dual N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS-T2 trench |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | 20 A at 25 degC case | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 7.6 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | 65 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 degC to +175 degC | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (260 degC peak reflow) | 1 (260C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | 100 percent tested | — |
| Channel Count | 2 (independent) | — |
| Operating Mode | Enhancement mode, Normal Level | — |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | — | 20 A per channel |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | — | 11.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 41 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |