IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPG20N04S408ATMA1 bằng Infineon và IPG20N04S4L11ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPG20N04S408ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 7.6mOhm OptiMOS | Infineon
IPG20N04S408ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPG20N04S4L11ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPG20N04S408ATMA1 | IPG20N04S4L11ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | Dual N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS-T2 trench |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | 20 A at 25 degC case | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 7.6 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | 65 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 degC to +175 degC | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (260 degC peak reflow) | 1 (260C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | 100 percent tested | — |
| Channel Count | 2 (independent) | — |
| Operating Mode | Enhancement mode, Normal Level | — |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | — | 20 A per channel |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | — | 11.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 41 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |