IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N04S408ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG20N04S4L11ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPG20N04S408ATMA1 | IPG20N04S4L11ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | Dual N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| Technology | OptiMOS (trench MOSFET) | OptiMOS-T2 trench |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | 20 A at 25 degC case | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 7.6 mOhm | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | 65 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 degC to +175 degC | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | MSL1 (260 degC peak reflow) | 1 (260C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | 100 percent tested | — |
| Channel Count | 2 (independent) | — |
| Operating Mode | Enhancement mode, Normal Level | — |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | — | 20 A per channel |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | — | 11.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 41 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |