IPP600N25N3GXKSA1 vs IRF640NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPP600N25N3GXKSA1 द्वारा Infineon और IRF640NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPP600N25N3GXKSA1 | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | HEXFET (5th Generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 250 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 25 A | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 60 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | 150 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| पैकेज / केस | TO-220-3 (PG-TO220-3-1) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | 44.7 nC |
| Reverse Recovery Time (trr) | [DATA_NEEDED: trr typical value] | — |
| Lead Free Status | Lead Free / RoHS Compliant | — |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel Enhancement Mode |
| पैकेज | — | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |