IPP600N25N3GXKSA1 vs IRF640NPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IPP600N25N3GXKSA1 bằng Infineon và IRF640NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 - 250V 25A 60mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

IPP600N25N3GXKSA1 - 250V 25A 60mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

IPP600N25N3GXKSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPP600N25N3GXKSA1 IRF640NPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Series OptiMOS 3 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 250 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 25 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 60 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 136 W 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Hộp / Vỏ TO-220-3 (PG-TO220-3-1) —
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +175C (junction) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] 44.7 nC
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr typical value] —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant —
Số chân 3 (Gate, Drain, Source) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +150C
Kiểu transitor — N-Channel Enhancement Mode
Hộp — TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá