IPP600N25N3GXKSA1 vs IRF640NPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPP600N25N3GXKSA1 מאת Infineon ו IRF640NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPP600N25N3GXKSA1 | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | HEXFET (5th Generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 250 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 25 A | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 60 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 136 W | 150 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| מארז / Case | TO-220-3 (PG-TO220-3-1) | — |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (junction) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | 44.7 nC |
| Reverse Recovery Time (trr) | [DATA_NEEDED: trr typical value] | — |
| Lead Free Status | Lead Free / RoHS Compliant | — |
| מספר פינים | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel Enhancement Mode |
| מארז | — | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |