IPT015N10NF2SATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPT015N10NF2SATMA1 द्वारा Infineon और IPP100N12S305AKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPP100N12S305AKSA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPT015N10NF2SATMA1 | IPP100N12S305AKSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | TO-220 (PG-TO220-3-1) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS trench |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| सिंगल पल्स एवलांच एनर्जी | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| पल्स्ड ड्रेन करंट | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID value] |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 300 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Avalanche Energy, Single Pulse | — | [DATA_NEEDED: EAS] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| पिन काउंट | — | 3 |
| MSL Moisture Sensitivity Level | — | 1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | — | 100% tested |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Green product) |