IPT015N10NF2SATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT015N10NF2SATMA1 tarafından Infineon ve IPP100N12S305AKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT015N10NF2SATMA1 IPP100N12S305AKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) TO-220 (PG-TO220-3-1)
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS trench
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi [DATA_NEEDED: EAS value] —
RoHS Durumu Compliant —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Dræn Akımı — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Pin Sayısı — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin