IPT015N10NF2SATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPT015N10NF2SATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPP100N12S305AKSA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPT015N10NF2SATMA1 IPP100N12S305AKSA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
Gambaran Suhu Operasi -55 °C to +175 °C —
Kemasan PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) TO-220 (PG-TO220-3-1)
Jenis Pemasangan Surface Mount Through Hole
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS trench
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Tenaga Gesa tunggal padek [DATA_NEEDED: EAS value] —
Status RoHS Compliant —
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Arus Alir Gesa — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
Suhu Hubungan Operasi — -55 °C to +175 °C
Kiraan Pin — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga