IPT015N10NF2SATMA1 vs IPP100N12S305AKSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPT015N10NF2SATMA1 توسط Infineon و IPP100N12S305AKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPP100N12S305AKSA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IPT015N10NF2SATMA1 | IPP100N12S305AKSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +175 °C | — |
| بسته‌بندی | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | TO-220 (PG-TO220-3-1) |
| نوع نصب | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS trench |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| انرژی بهمنی تک‌پالس | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| جریان درین پالسی | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID value] |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 300 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Avalanche Energy, Single Pulse | — | [DATA_NEEDED: EAS] |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| تعداد پایه | — | 3 |
| MSL Moisture Sensitivity Level | — | 1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | — | 100% tested |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Green product) |