IRF520NPBF vs IRLZ34NPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF520NPBF द्वारा Infineon और IRLZ34NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF520NPBF IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF520NPBF IRLZ34NPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C —
पैकेज TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
MSL स्तर 1 (unlimited) Not applicable (through-hole)
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C

डेटाशीट और संसाधन

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