IRF520NPBF vs IRLZ34NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF520NPBF بذریعہ Infineon اور IRLZ34NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF520NPBF IRLZ34NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
MSL لیول 1 (unlimited) Not applicable (through-hole)
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) —
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں